كشفت شركة "سامسونغ" عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للهواتف الذكية المقبلة، وفقًا لما نشره موقع GSM الهندي.

وتوفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت فى الثانية، وهو ما يعتبر تحسين بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت فى الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.

وتتوقع سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض نطاق الترددى العالى لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التى تدعم تقنية 5G.

كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثمانية من رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.